MOSFET Infineon BSP372NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 1,8 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
OptiMOS™
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.5mm
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.6mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 345,85
€ 0,346 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
1000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 0,346 | € 345,85 |
| 2000 - 2000 | € 0,328 | € 328,03 |
| 3000+ | € 0,308 | € 307,82 |
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N
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100 V
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Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.5mm
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.6mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
Malaysia
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MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
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