Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
660 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Series
SIPMOS®
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
3.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,9 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.5mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.6mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 44,90
€ 0,449 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 44,90
€ 0,449 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
100
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 200 | € 0,449 | € 22,45 |
250 - 450 | € 0,423 | € 21,13 |
500 - 1200 | € 0,395 | € 19,76 |
1250+ | € 0,368 | € 18,38 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
660 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Series
SIPMOS®
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
3.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,9 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.5mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.6mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.