MOSFET Infineon BSL215CH6327XTSA1, VDSS 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, ID 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, TSOP-6
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
OptiMOS™
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ, 280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.6 V, 1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7 V, 1.2V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,73 nC a 4,5 V, 3 nC a 5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 17,61
€ 0,294 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
60
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ, 280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.6 V, 1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7 V, 1.2V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,73 nC a 4,5 V, 3 nC a 5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
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