MOSFET Infineon BSC028N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 137 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
137 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Series
OptiMOS™ 5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
100 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 19,52
€ 1,952 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
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10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,952 | € 19,52 |
| 50 - 90 | € 1,855 | € 18,55 |
| 100 - 240 | € 1,777 | € 17,77 |
| 250 - 490 | € 1,698 | € 16,98 |
| 500+ | € 1,581 | € 15,81 |
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Series
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
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Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
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Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
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1
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37 nC a 10 V
Altura
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Temperatura Mínima de Funcionamiento
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