MOSFET Infineon BSC010N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 906-4381Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC010N04LSATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

OptiMOS™ 5

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

139000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

5.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

95 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

Datos del producto

MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 17,12

€ 1,712 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

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Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 17,12
20€ 34,25
30€ 51,37
40€ 68,50
50€ 81,37
60€ 97,64
70€ 113,92
80€ 130,19
90€ 146,47
100€ 155,79
110€ 171,37
120€ 186,95
130€ 202,53
140€ 218,11
150€ 233,69

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
10 - 40€ 1,712€ 17,12
50 - 90€ 1,627€ 16,27
100 - 240€ 1,558€ 15,58
250 - 490€ 1,49€ 14,90
500+€ 1,387€ 13,87

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Series

OptiMOS™ 5

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

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Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

139000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

5.35mm

Material del transistor

Si

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1

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

95 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.1mm

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-55 °C

Tensión de diodo directa

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