Transistor, BFR93AE6327HTSA1, NPN 35 mA 12 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 6000 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
35 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
15 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
6.000 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
1 x 3 x 1.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores bipolares RF, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
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3000
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