Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.295 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon
€ 4.809,13
€ 1,603 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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P
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13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.295 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Número de Elementos por Chip
1
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Silicon