Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
545 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DirectFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
15
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon
$ 80,99
$ 8,099 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
$ 80,99
$ 8,099 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
10 - 18 | $ 8,099 | $ 16,20 |
20 - 48 | $ 7,648 | $ 15,30 |
50 - 98 | $ 7,107 | $ 14,21 |
100+ | $ 6,566 | $ 13,13 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
545 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DirectFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
15
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon