Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
545 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DirectFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
15
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Material del transistor
Silicon
Número de Elementos por Chip
1
€ 70,28
€ 7,028 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 70,28
€ 7,028 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
10 - 18 | € 7,028 | € 14,06 |
20 - 48 | € 6,636 | € 13,27 |
50 - 98 | € 6,169 | € 12,34 |
100+ | € 5,701 | € 11,40 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
545 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DirectFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
15
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Material del transistor
Silicon
Número de Elementos por Chip
1