Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
545 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DirectFET
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
15
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Material del transistor
Silicon
Número de Elementos por Chip
1
€ 69,13
€ 6,913 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 69,13
€ 6,913 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
10 - 18 | € 6,913 | € 13,83 |
20 - 48 | € 6,528 | € 13,06 |
50 - 98 | € 6,066 | € 12,13 |
100+ | € 5,604 | € 11,21 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
545 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DirectFET
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
15
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Material del transistor
Silicon
Número de Elementos por Chip
1