Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
545 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DirectFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
15
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Material del transistor
Silicon
Número de Elementos por Chip
1
$ 18,20
$ 9,101 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
$ 18,20
$ 9,101 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 8 | $ 9,101 | $ 18,20 |
10 - 18 | $ 8,193 | $ 16,39 |
20 - 48 | $ 7,735 | $ 15,47 |
50 - 98 | $ 7,191 | $ 14,38 |
100+ | $ 6,646 | $ 13,29 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
545 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DirectFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
15
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Material del transistor
Silicon
Número de Elementos por Chip
1