Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
545 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DirectFET
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
15
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Material del transistor
Silicon
Número de Elementos por Chip
1
€ 11.818,91
€ 2,955 Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
4000
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N
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545 A.
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40 V
Tipo de Encapsulado
DirectFET
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
15
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Material del transistor
Silicon
Número de Elementos por Chip
1