MOSFET Infineon 2N7002H6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
OptiMOS™
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,4 nC a 10 V
Anchura
1.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 4,44
€ 0,044 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Anchura
1.3mm
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1
Longitud
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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MOSFET Transistors, Infineon
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