MOSFET Infineon 2N7002H6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Series
OptiMOS™
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,4 nC a 10 V
Ancho
1.3mm
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 4,46
€ 0,045 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
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Longitud:
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,4 nC a 10 V
Ancho
1.3mm
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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