Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor FQPF9N50C, VDSS 500 V, ID 9 A, TO-220F de 3 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
44000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.16mm
Ancho
4.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.19mm
Price on asking
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
44000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.16mm
Ancho
4.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.19mm