Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor FQA28N50, VDSS 500 V, ID 28 A, TO-3PN de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
310000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
15.8mm
Anchura
5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
18.9mm
Datos del producto
MOSFET de canal N QFET®, de 11 A a 30 A, Fairchild Semiconductor
El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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1
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Tipo de Montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
310000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
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Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
15.8mm
Anchura
5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
18.9mm
Datos del producto
MOSFET de canal N QFET®, de 11 A a 30 A, Fairchild Semiconductor
El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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