Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor FDS4953, VDSS 30 V, ID 5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Ancho
4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 5 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.5mm
Price on asking
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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Empaque de Producción (Rollo)
5
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Tipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Ancho
4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 5 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.5mm