Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
10.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC a 5 V
Anchura
7.67mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.39mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 1,79
$ 0,897 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
$ 1,79
$ 0,897 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 24 | $ 0,897 | $ 1,79 |
26+ | $ 0,609 | $ 1,22 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
10.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC a 5 V
Anchura
7.67mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.39mm
País de Origen
China
Datos del producto