Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.9 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29,6 nC a 10 V
Anchura
3.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.7mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.8mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Price on asking
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.9 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29,6 nC a 10 V
Anchura
3.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.7mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.8mm
Datos del producto