Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
210 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
806 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,8 nC a 5 V, 6,4 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.05mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 2,67
€ 0,267 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 2,67
€ 0,267 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 20 | € 0,267 | € 2,67 |
30 - 140 | € 0,158 | € 1,58 |
150 - 740 | € 0,139 | € 1,39 |
750 - 1490 | € 0,118 | € 1,18 |
1500+ | € 0,096 | € 0,96 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
210 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
806 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,8 nC a 5 V, 6,4 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.05mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto