MOSFET DiodesZetex ZXMP10A13FTA, VDSS 100 V, ID 700 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
700 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
806 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,8 nC a 5 V, 3,5 nC a 10 V
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3.05mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, 100 V a 450 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 12,80
$ 0,512 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
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25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 25 - 125 | $ 0,512 | $ 12,80 |
| 150 - 725 | $ 0,426 | $ 10,65 |
| 750 - 1475 | $ 0,36 | $ 9,00 |
| 1500+ | $ 0,296 | $ 7,39 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
806 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,8 nC a 5 V, 3,5 nC a 10 V
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3.05mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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