Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
806 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,9 nC a 10 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3.05mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 47,24
$ 0,315 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
150
$ 47,24
$ 0,315 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
150
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
150 - 725 | $ 0,315 | $ 7,87 |
750 - 1475 | $ 0,266 | $ 6,64 |
1500+ | $ 0,216 | $ 5,41 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
806 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,9 nC a 10 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3.05mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto