MOSFET DiodesZetex ZXMHC3A01T8TA, VDSS 30 V, ID 1,8 A, 3,1 A, SM de 8 pines, 4elementos, config. Puente completo

Código de producto RS: 823-1877PMarca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: ZXMHC3A01T8TA
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1,8 A, 3,1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SM

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 mΩ, 330 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Disipación de Potencia Máxima

1.7 W

Configuración de transistor

Puente completo

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

3.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

4

Largo

6.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,9 nC a 10 V, 5,2 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Altura

1.6mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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€ 27,63

€ 1,842 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET DiodesZetex ZXMHC3A01T8TA, VDSS 30 V, ID 1,8 A, 3,1 A, SM de 8 pines, 4elementos, config. Puente completo
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Empaque de Producción (Rollo)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

15

Disponible en múltiplos de 5
15€ 27,63
20€ 36,84
25€ 46,05
30€ 55,25
35€ 64,46
40€ 73,67
45€ 82,88
50€ 81,67
55€ 89,83
60€ 98,00
65€ 106,17
70€ 114,33
75€ 122,50
80€ 130,67
85€ 138,83

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65€ 106,17
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75€ 122,50
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Información de stock no disponible temporalmente.

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
15 - 45€ 1,842€ 9,21
50 - 245€ 1,633€ 8,17
250 - 495€ 1,413€ 7,07
500+€ 1,228€ 6,14

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Tipo de Canal

N, P

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30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SM

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 mΩ, 330 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Disipación de Potencia Máxima

1.7 W

Configuración de transistor

Puente completo

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

3.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

4

Largo

6.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,9 nC a 10 V, 5,2 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

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Altura

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