MOSFET DiodesZetex ZXMC4559DN8TA, VDSS 60 V, ID 2,6 A, 4,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.6 A, 4.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 mΩ, 125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.95mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,4 nC a 10 V, 24,2 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 12,74
€ 0,637 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
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20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 240 | € 0,637 | € 12,74 |
| 260+ | € 0,511 | € 10,22 |
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.95mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,4 nC a 10 V, 24,2 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
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