MOSFET DiodesZetex ZXMC4559DN8TA, VDSS 60 V, ID 2,6 A, 4,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 823-4059Marca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: ZXMC4559DN8TA
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.6 A, 4.7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

75 mΩ, 125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.1 W

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

3.95mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Longitud

4.95mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20,4 nC a 10 V, 24,2 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.5mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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€ 0,637 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

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260+€ 0,511€ 10,22

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SOIC

Tipo de montaje

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Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

75 mΩ, 125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.1 W

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

3.95mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Longitud

4.95mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20,4 nC a 10 V, 24,2 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Altura

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