Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
160 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.77mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 1.135,63
€ 0,284 Cada Uno (En una Bolsa de 4000) (Sin IVA)
4000
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Información de stock no disponible temporalmente.
4000
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DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
160 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.77mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto