Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
280 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
4.77mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 7,61
$ 0,761 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
$ 7,61
$ 0,761 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 30 | $ 0,761 | $ 7,61 |
40 - 190 | $ 0,687 | $ 6,87 |
200 - 990 | $ 0,611 | $ 6,11 |
1000 - 1990 | $ 0,531 | $ 5,31 |
2000+ | $ 0,457 | $ 4,57 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
280 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
4.77mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto