Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
2.41mm
Largo
4.77mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
4.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 40,91
€ 0,409 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
100
€ 40,91
€ 0,409 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
---|---|---|
100 - 480 | € 0,409 | € 8,18 |
500 - 980 | € 0,369 | € 7,39 |
1000+ | € 0,328 | € 6,57 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
2.41mm
Largo
4.77mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
4.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto