Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
260 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
240 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
750 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V, +40 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
4.77mm
Altura
4.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 68,33
$ 1,367 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
50
$ 68,33
$ 1,367 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
---|---|---|
50 - 95 | $ 1,367 | $ 6,83 |
100 - 245 | $ 1,076 | $ 5,38 |
250 - 495 | $ 1,011 | $ 5,05 |
500+ | $ 0,986 | $ 4,93 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
260 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
240 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
750 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V, +40 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
4.77mm
Altura
4.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto