Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
330 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.7mm
Anchura
3.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.65mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 1,74
$ 1,74 Each (Sin IVA)
Estándar
1
$ 1,74
$ 1,74 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | $ 1,74 |
10 - 19 | $ 1,66 |
20 - 49 | $ 1,56 |
50 - 99 | $ 1,49 |
100+ | $ 1,41 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
330 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.7mm
Anchura
3.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.65mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto