Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
4.77mm
Profundidad
2.41mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.01mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 5,37
$ 0,537 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
$ 5,37
$ 0,537 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
4.77mm
Profundidad
2.41mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.01mm
Datos del producto