Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
270 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.77mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 3,52
€ 0,704 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 3,52
€ 0,704 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 35 | € 0,704 | € 3,52 |
40 - 195 | € 0,416 | € 2,08 |
200 - 995 | € 0,364 | € 1,82 |
1000 - 1995 | € 0,314 | € 1,57 |
2000+ | € 0,259 | € 1,30 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
270 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.77mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto