Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Transistor
NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector
2.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
20 V
Tipo de Encapsulado
SM
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Configuración de transistor
Puente completo
Tensión Base Máxima del Colector
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
140 MHz
Conteo de Pines
8
Número de Elementos por Chip
4
Dimensiones
6.7 x 3.7 x 1.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Germany
Datos del producto
Puente H de transistor cuádruple, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
€ 2,81
€ 1,403 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
2
€ 2,81
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DiodesZetexTipo de Transistor
NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector
2.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
20 V
Tipo de Encapsulado
SM
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Configuración de transistor
Puente completo
Tensión Base Máxima del Colector
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
140 MHz
Conteo de Pines
8
Número de Elementos por Chip
4
Dimensiones
6.7 x 3.7 x 1.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Germany
Datos del producto