Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Series
DMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 a 10 V nC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
2
Anchura
3.95mm
Altura
1.5mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 5,70
€ 0,57 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 5,70
€ 0,57 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Series
DMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 a 10 V nC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
2
Anchura
3.95mm
Altura
1.5mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto