Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
810 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.35mm
Longitud:
3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33,7 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.8mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 333,12
$ 0,167 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
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2000
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DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
810 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.35mm
Longitud:
3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33,7 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.8mm
País de Origen
China
Datos del producto