Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
99 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
1.08 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 5,31
€ 0,053 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 5,31
€ 0,053 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
100
Información de stock no disponible temporalmente.
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
99 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
1.08 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto