Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-26
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
3.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21,1 nC a 10 V
Ancho
1.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 34,85
€ 0,232 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
150
€ 34,85
€ 0,232 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
150
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
150 - 725 | € 0,232 | € 5,81 |
750 - 1475 | € 0,207 | € 5,16 |
1500+ | € 0,188 | € 4,69 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-26
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
3.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21,1 nC a 10 V
Ancho
1.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto