Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
113 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,6 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 25 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 7,04
€ 0,07 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
€ 7,04
€ 0,07 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
100 - 500 | € 0,07 | € 7,04 |
600 - 1400 | € 0,067 | € 6,69 |
1500+ | € 0,055 | € 5,52 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
113 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,6 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto