MOSFET DiodesZetex DMP21D6UFD-7, VDSS 20 V, ID 600 mA, X1-DFN1212 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
X1-DFN1212
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
800 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Longitud
1.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.8 nC @ 8V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.25mm
Altura
0.48mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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€ 11,03
€ 0,055 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
€ 11,03
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Empaque de Producción (Rollo)
200
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 200 - 400 | € 0,055 | € 5,52 |
| 500 - 900 | € 0,045 | € 4,46 |
| 1000 - 1900 | € 0,04 | € 3,99 |
| 2000+ | € 0,038 | € 3,76 |
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
X1-DFN1212
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
800 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Longitud
1.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.8 nC @ 8V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.25mm
Altura
0.48mm
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