Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
41 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
3.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.35mm
Altura
0.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 25 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 13,04
$ 0,652 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
$ 13,04
$ 0,652 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
20 - 80 | $ 0,652 | $ 13,04 |
100 - 480 | $ 0,455 | $ 9,09 |
500 - 980 | $ 0,408 | $ 8,16 |
1000 - 2480 | $ 0,364 | $ 7,28 |
2500+ | $ 0,327 | $ 6,54 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
41 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
3.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.35mm
Altura
0.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto