MOSFET DiodesZetex DMN6140L-7, VDSS 60 V, ID 2,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 921-1120PMarca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: DMN6140L-7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

170 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,6 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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$ 42,11

$ 0,168 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET DiodesZetex DMN6140L-7, VDSS 60 V, ID 2,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
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Empaque de Producción (Rollo)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

250

Disponible en múltiplos de 50
250$ 42,11
300$ 50,53
350$ 58,95
400$ 67,37
450$ 75,79
500$ 84,21
550$ 92,63
600$ 101,05
650$ 109,48
700$ 117,90
750$ 126,32
800$ 134,74
850$ 143,16
900$ 151,58
950$ 160,00

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650$ 109,48
700$ 117,90
750$ 126,32
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
250 - 950$ 0,168$ 8,42
1000 - 1950$ 0,162$ 8,08
2000 - 2950$ 0,155$ 7,74
3000+$ 0,149$ 7,46

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Resistencia Máxima Drenador-Fuente

170 mΩ

Modo de Canal

Mejora

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3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

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Profundidad

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Material del transistor

Si

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1

Longitud:

3mm

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8,6 nC a 10 V

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