Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,6 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 42,11
$ 0,168 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
250
$ 42,11
$ 0,168 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
250
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
250 - 950 | $ 0,168 | $ 8,42 |
1000 - 1950 | $ 0,162 | $ 8,08 |
2000 - 2950 | $ 0,155 | $ 7,74 |
3000+ | $ 0,149 | $ 7,46 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,6 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
China
Datos del producto