MOSFET DiodesZetex DMN53D0LDW-7, VDSS 50 V, ID 360 mA, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
360 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
310 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 5,32
€ 0,053 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
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100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,053 | € 5,32 |
| 500 - 900 | € 0,049 | € 4,86 |
| 1000 - 1900 | € 0,047 | € 4,74 |
| 2000 - 2900 | € 0,046 | € 4,62 |
| 3000+ | € 0,045 | € 4,51 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
310 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Tensión de diodo directa
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