MOSFET DiodesZetex DMN4026SK3-13, VDSS 40 V, ID 28 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.4 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21,3 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 83,91
€ 0,42 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
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Empaque de Producción (Rollo)
200
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,42 | € 8,39 |
| 500 - 1980 | € 0,371 | € 7,42 |
| 2000+ | € 0,321 | € 6,42 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.4 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21,3 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
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