Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.4 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.7mm
Largo
6.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21,3 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
2.39mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 623,03
$ 0,249 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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2500
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DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.4 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.7mm
Largo
6.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21,3 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
2.39mm
País de Origen
China
Datos del producto