Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
900 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
X1-DFN1212
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
890 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
1.25mm
Longitud:
1.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.48mm
País de Origen
China
€ 140,26
€ 0,047 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
900 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
X1-DFN1212
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
890 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
1.25mm
Longitud:
1.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.48mm
País de Origen
China