Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
530 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
1.25mm
Largo
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,5 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.6mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 218,23
€ 0,073 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
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DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
530 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
1.25mm
Largo
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,5 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.6mm
País de Origen
China
Datos del producto