MOSFET DiodesZetex DMN2300UFB4-7B, VDSS 20 V, ID 1,3 A, X2-DFN1006 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
X2-DFN1006
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.95V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Anchura
0.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
1.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,6 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
0.35mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 7,04
€ 0,141 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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Información de stock no disponible temporalmente.
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Tipo de Montaje
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.95V
Disipación de Potencia Máxima
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±8 V
Anchura
0.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
1.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
0.35mm
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