Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
780 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 5,23
€ 0,105 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
€ 5,23
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Empaque de Producción (Rollo)
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DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
780 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto