MOSFET DiodesZetex DMN1260UFA-7B, VDSS 12 V, ID 500 mA, X2-DFN0806 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
X2-DFN0806
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
0.85mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
0.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,96 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.35mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 14,61
€ 0,146 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
0.85mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
0.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,96 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.35mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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