MOSFET DiodesZetex DMHC3025LSD-13, VDSS 30 V, ID 2,5 A, 7,8 A, SOIC de 8 pines, 4elementos, config. Puente completo
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.5 A, 7.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ, 80 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1,5 W
Configuración de transistor
Full Bridge
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
4
Profundidad
3.95mm
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,4 nC a 10 V, 11,7 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 877,12
€ 0,351 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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Información de stock no disponible temporalmente.
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Tipo de Encapsulado
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1,5 W
Configuración de transistor
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-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
4
Profundidad
3.95mm
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,4 nC a 10 V, 11,7 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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