Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
3.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26,7 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.85mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 4,42
$ 0,177 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
$ 4,42
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Empaque de Producción (Rollo)
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DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
3.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26,7 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.85mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto