MOSFET DiodesZetex DMG4511SK4-13, VDSS 35 V, ID 9,3 A, 9,6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9,3 A, 9,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
35 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
8.9 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
6.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,7 nC a 10 V, 19,2 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.39mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 36,02
€ 0,36 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 36,02
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Empaque de Producción (Rollo)
100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 480 | € 0,36 | € 7,20 |
| 500 - 980 | € 0,323 | € 6,45 |
| 1000+ | € 0,289 | € 5,77 |
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N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9,3 A, 9,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
35 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
8.9 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
6.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,7 nC a 10 V, 19,2 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.39mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
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