MOSFET DiodesZetex DMG4511SK4-13, VDSS 35 V, ID 9,3 A, 9,6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9,3 A, 9,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
35 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
8.9 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,7 nC a 10 V, 19,2 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
6.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.39mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 707,16
€ 0,283 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,7 nC a 10 V, 19,2 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
6.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
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