MOSFET DiodesZetex DMG2305UX-7, VDSS 20 V, ID 3,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,2 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 25 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 42,08
€ 0,084 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
500
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Empaque de Producción (Rollo)
500
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 500 - 900 | € 0,084 | € 8,42 |
| 1000 - 2400 | € 0,067 | € 6,66 |
| 2500 - 4900 | € 0,063 | € 6,31 |
| 5000+ | € 0,044 | € 4,44 |
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,2 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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